基于GAN具有高电子迁移率，满足更高的频率和更高的效率下支持更高的增益，这意味着可以实现更高频的电源转换，使得更小尺寸设备的设计和制造既能适应更小、更薄的技术，而不会影响功率、可靠性或安全性。
外观尺寸
类型 | 规格 |
尺寸 | 190*115*40mm |
重量 | ≤0.88kg |
散热方式 | 强制风冷 |
温度范围 | -40℃～55℃ |
功率密度 | 39W/in3 |
电气参数
| 参数 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
正向整流 AC-DC | 交流输入电压 | 180 | 220 | 260 | V |
线频率 |
| 50 |
| Hz | |
输出功率 |
| 2000 |
| W | |
PF |
| 0.99 |
|
| |
THD |
|
| 5% |
| |
输出电压 | 45 | 50 | 55 | V | |
输出电流 |
| 40 |
| A | |
输出电压精度 |
|
| 1% |
| |
输出电流精度 |
|
| 1% |
| |
转换效率 |
| ≥95% | 96% |
| |
保护功能 | 过、欠压；过流、短路、过温保护 | ||||
| 参数 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
反向逆变 DC-AC | 直流输入电压 | 45 | 50 | 55 | V |
直流输入电流 |
| 40 |
| A | |
输出功率 |
| 2000 |
| W | |
输出电压 |
| 220 |
| V | |
输出线频率 |
| 50 |
| Hz | |
输出电压精度 |
|
| 1% |
| |
输出电流精度 |
|
| 1% |
| |
转换效率 |
| ≥95% | 96% |
| |
保护功能 | 过、欠压；过流、短路、过温保护 | ||||
| 产品图片 | 名称 | 类别 | 描述 | 查看 |
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江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
